1.4纳米！台积电官宣下一代半导体先进制程技术

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4月24日，台积电在其举办的2025年北美技术论坛上曝光了下一世代先进逻辑制程技术A14（即1.4nm制程技术）。台积电表示，A14制程技术计划于2028年开始生产，截至目前开发进展顺利，良率表现优于预期进度。

据悉，与2025年稍晚时间进入量产的N2制程相比，A14将在相同功耗下，提升15%的速度；或在相同速度下，降低30%的功率，同时逻辑密度增加超过20%。台积电将其TSMC NanoFlex标准单元架构发展为NanoFlex Pro，以实现更好的效能、能源效率和设计灵活性。

台积电表示，A14制程技术体现了公司在N2制程上的重大进展，此技术旨在通过提供更快的运算和更好的能源效率来推动人工智能（AI）转型，并有望通过增强终端AI功能（on-board AI capabilities）来强化智能手机功能。

台积电董事长魏哲家表示：“我们的客户不断展望未来，而台积电的先进技术和制造为他们提供了可靠的创新蓝图。台积电的先进逻辑技术，例如A14，是连接实体和数字世界的全方位解决方案组合的一部分，促进客户创新，推动AI未来。”

值得关注的是，此次除了A14，台积电还发布了新的逻辑制程、特殊制程、先进封装和3D芯片堆栈技术，应用于高性能计算（HPC）、智能手机、汽车和物联网（IoT）等领域。

具体来看，在高性能计算领域，台积电持续推进晶圆上芯片基板(CoWoS) 技术，计划于2027年实现9.5reticle size CoWoS 的量产，将12个或更多HBM堆栈与台积电领先的逻辑技术集成在一个封装中。在智能手机领域，台积电通过其最新一代的射频技术N4C RF支持边缘设备满足AI需求。N4C RF技术计划在2026年第一季度进入试产。在汽车领域，台积公司通过N3A制程满足客户需求，目前N3A正处于AEC-Q100第一级验证的最后阶段，并不断改良。在物联网领域，台积电表示，公司先前公布的超低功耗N6e制程进入生产，其将继续推动N4e拓展未来边缘AI的能源效率极限。