中国EUV光刻机取得新进展

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尽管美国实施了制裁措施，但上海微电子装备有限公司（SMEE）最近公开的一项新专利显示，中国企业在本土的先进光刻技术领域仍在持续取得进展。

据企业信息查询平台 Qichacha 显示，SMEE 于2023年3月提交的“极紫外[EUV]辐射发生器及光刻设备”专利已于近日公布，目前还在中国国家知识产权局的审查过程中。 这项专利的公布意味着SMEE在EUV光刻技术方面取得了新的进展，而这项技术一直被认为是中国半导体行业的一个短板。

尽管SMEE多年来一直在努力，但在大规模生产28纳米及更小工艺节点的光刻设备方面，与荷兰的ASML相比仍有差距。ASML是全球EUV光刻机市场的主导者，自2019年起，该公司被禁止向中国出口此类设备。2023年11月20日，ASML的工程师在荷兰费尔德霍芬的总部展示了高NA EUV工具。2022年12月，SMEE与35家中国企业一同被列入美国商务部的黑名单，这限制了它们从美国进口某些技术的能力。

在中国的光刻机市场中，ASML、尼康和佳能三家公司占据了99%的市场份额。光刻机是用于在硅片上印制复杂电路图案的关键设备。目前，只有ASML能够生产用于制造7纳米以下芯片的机器。随着中国市场的快速增长，ASML面临着越来越大的压力，需要为中国大陆的客户提供服务。根据ASML的2023年年报，中国大陆已经成为ASML的第二大市场，仅次于台湾。

但由于订单积压严重，ASML只能完成来自中国大陆50%的订单。自9月6日荷兰更新出口限制以来，ASML在向中国提供光刻系统备件和软件更新方面需要获得许可。设备的维修也受到监管。2023年，EUV机器占ASML系统销售额的42%，销售额达到219亿欧元（约合242亿美元）。全球的代工厂，从台湾的半导体制造公司到韩国的三星电子，都在争相购买这些工具，以继续生产3纳米级别的芯片。EUV光刻技术使用的光波长仅为13.5纳米，接近X射线水平，比传统的193纳米波长的深紫外光刻技术短了近14倍。先进的EUV扫描仪对于批量生产7纳米以下的半导体至关重要，因为它们能够提供更高的生产良率，良率是衡量制造过程中无缺陷产品比例的关键指标。