ASML将在2024年推出高数值孔径(HighNA EUV)光刻机,引发各大先进制程玩家争相抢购。英特尔已经订购了第一台ASML NA EUV光刻机的实验室版本,正在评估是否用于Intel 18A制程的量产。此外,台积电和三星都在争相购买正式版本的High NAEUV光刻机,用于2nm及以下制程。
High NA EUV光刻机能使光学系统的数值孔径提升至0.55,达到比传统掩模版更高的精度和光刻速度,是生产2nm及以下制程节点的关键设备。因此,High NA EUV光刻机的正式推出,为先进制程节点的进一步下探提供了技术基础。
然而,先进制程玩家在使用High NA EUV光刻机的过程中,必须克服成本价和耗电量的挑战。在1nm之前,采用高数值孔径单次曝光的成本会高于采用低数值孔径的多次曝光。此外,High-NAEUV光刻机对于光源的需求大幅提升,耗电量将从1.5兆瓦提升到2兆瓦。虽然先进制程“三大家”争先购买High NA EUV光刻机,但具体何时采用,还是未知。
2nm制程领域所使用的 EUV光刻胶主要有两种,第一种是继续采用7nm EUV光刻机的化学扩增抗蚀剂(CAR),第二种是采用新的金属氧化物抗蚀剂(MOR)。随着英特尔、台积电、三星等半导体巨头开始采购能实现2nm工艺的ASML High NA EUV光刻机,2nm EUV光刻胶MOR也将迎来新一轮的采购潮。