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发表于 2022-5-11 18:43:28 |只看该作者 |倒序浏览
虽说就是一个很简单的TDD+FDD的载波聚合技术,但对手机发射功率做了优化。

传统的TDD+FDD载波聚合,每个载波的最大发射功率只有20dBm,当TDD处于下行时隙时,总发射功率为20dBm(FDD)+0dBm(TDD)=20dBm(Total);当TDD处于上行时隙时,总发射功率为20dBm(FDD)+20dBm(TDD)=23dBm(Total)。当TDD处于下行时隙时(70~80%的时间段内),手机的最大发射功率只有20dBm,没有充分利用最大发射功率不超过23dBm的标准空间,浪费了一半的功率,这不合适。

超级上行做了什么改变呢,就是定义:「当TDD处于下行时隙时,总发射功率为23dBm(FDD)+0dBm(TDD)=23dBm;当TDD处于上行时隙时,总发射功率为0dBm(FDD)+23dBm(TDD)=23dBm(Total)」。这样,不论TDD处于哪个时隙,手机的最大发射功率都是23dBm,充分利用了最大发射功率不超过23dBm的标准空间。

就是这么一个小小的优化,可以让手机的上行能力增强很多,海思/MTK/展锐的基带都支持,高通不支持,的坏。

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