待解决问题
LTE/LTE-A终端芯片工艺会是多少nm
离问题结束还有0天0小时  |  提问者:dpdch   |  提问时间:2012-12-24 19:59
不知LTE/LTE-A终端芯片工艺会是多少nm?单芯片要支持怎么多制式,而且据说LTE的终端芯片耗电量大,对电池是一个很大考验。 40nm,45nm和65nm指的是CPU/GPU制程中的线宽等级。线宽就是CPU/GPU核心集成电路中线路的宽度,线宽越小,同样的芯片面积中就能容纳更多的线路,发热量也就越小。 45纳米与65纳米差距主要在散热和耗电量上`性能相应肯定会高那么一点。 生产制造的工艺尺寸越小,芯片内部栅极结构之间的漏电量就越少,电能利用率就越高,发热量就越小。 同样的,由于晶体管尺寸缩小,相同面积的芯片当中就能集成更多数量的晶体管,芯片的计算性能就能大幅提升。
线宽只是一个先天条件,

设计对功耗的影响也很大

一个牛人,一个菜鸟,设计出来的电路差别是很大的
回答时间:2012-12-25 08:52
 
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