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LTE/LTE-A终端芯片工艺会是多少nm  (进入论坛模式)
离问题结束还有0天0小时  |  提问者:dpdch   |  提问时间:2012-12-24 19:59
不知LTE/LTE-A终端芯片工艺会是多少nm?单芯片要支持怎么多制式,而且据说LTE的终端芯片耗电量大,对电池是一个很大考验。

40nm,45nm和65nm指的是CPU/GPU制程中的线宽等级。线宽就是CPU/GPU核心集成电路中线路的宽度,线宽越小,同样的芯片面积中就能容纳更多的线路,发热量也就越小。

45纳米与65纳米差距主要在散热和耗电量上`性能相应肯定会高那么一点。 生产制造的工艺尺寸越小,芯片内部栅极结构之间的漏电量就越少,电能利用率就越高,发热量就越小。 同样的,由于晶体管尺寸缩小,相同面积的芯片当中就能集成更多数量的晶体管,芯片的计算性能就能大幅提升。
问题答案 ( 5 条 )
线宽只是一个先天条件,

设计对功耗的影响也很大

一个牛人,一个菜鸟,设计出来的电路差别是很大的
 |  回应该答案 (0)  |  回答者:zhanweisu27   |  2012-12-25 08:52
现在主流已是28nm了,LTE/LTE-A终端芯片工艺应该是14nm,至少也是20nm。
 |  回应该答案 (0)  |  回答者:wang0451   |  2012-12-25 11:19
不好说呀。 制造工艺提高,成本是不是也会相应增加呀。
 |  回应该答案 (0)  |  回答者:vvblue   |  2012-12-25 12:33
商用应该是20~14nm+SOI,28nm功耗也下不来;
其实40以后,工艺的shrink和功耗的减少不成比例。
 |  回应该答案 (0)  |  回答者:magmaqk   |  2012-12-25 13:20
用28nm成本不会增加,反而降低,主要限制是设计的水平,还有代工厂的产能
 |  回应该答案 (0)  |  回答者:MrJiang   |  2013-1-1 12:15
 
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