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发表于 2024-5-28 16:00:02 |只看该作者 |倒序浏览
【ITBEAR科技资讯】5月28日消息,近日,全球领先的半导体解决方案提供商美光科技宣布,计划在日本广岛县投资建设一座新的内存芯片制造工厂,专注于生产DRAM芯片。据悉,该工厂预计总投资额将达到6000亿至8000亿日元,并有望在2027年底前投入运营。

美光科技表示,新工厂的建设将于2026年初启动,并计划引入尖端的EUV技术来支持生产流程。这项技术将大幅提高生产效率和产品质量,使美光科技在全球内存芯片市场上保持竞争优势。尽管公司最初希望该工厂能在2024年开始运营,但由于当前市场环境的变化,美光科技决定调整时间表以确保项目的稳健推进。



据ITBEAR科技资讯了解,美光科技作为全球半导体行业的佼佼者,其产品范围涵盖DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器等各类半导体组件及存储器模块。这些产品广泛应用于前沿计算、消费品、网络和移动便携设备等领域,为全球用户提供了高性能、可靠的存储解决方案。

为了支持美光科技在日本的投资项目,日本经济产业省于2023年10月宣布,将为美光科技提供高达1920亿日元(约合92亿人民币)的补贴。这笔资金将主要用于新一代芯片的研发和生产。具体来说,其中1670亿日元将用于新一代DRAM生产的补贴,占据了美光在广岛工厂生产线资本投资的三分之一。而剩余的250亿日元则将投入到下一代芯片产品的研究与开发中,以满足未来市场的需求。

此次投资不仅将增强美光科技在全球内存芯片市场的地位,同时也将助力日本提升在半导体领域的实力。随着新工厂的建成投产,预计将为当地创造大量就业机会,并进一步推动日本半导体产业的发展。

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