英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆： 20μm 厚，基板电阻降低 50%

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英飞凌官方今日宣布，在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展。

这种晶圆直径为 30mm，厚度为 20μm、仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的 40-60μm 晶圆厚度的一半。

与基于传统硅晶圆的解决方案相比，晶圆厚度减半可将基板电阻降低 50%，从而使功率系统中的功率损耗减少 15% 以上。

据官方介绍，对于高端 AI 服务器应用来说，电流增大会推动能源需求上升，因此，将电压从 230V 降低到 1.8V 以下的处理器电压，对于功率转换来说尤为重要。

超薄晶圆技术促进了基于垂直沟槽 MOSFET 技术的垂直功率传输设计。这种设计实现了与 AI 芯片处理器的高度紧密连接，在减少功率损耗的同时，提高了整体效率。

英飞凌表示该技术已获得认可，并被应用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，且已交付给首批客户。

英飞凌预测在未来三到四年内，现有的传统晶圆技术将被用于低压功率转换器的替代技术所取代。

11 月 12-15 日，英飞凌将在 2024 年慕尼黑国际电子元器件博览会上公开展示首款超薄硅晶圆。