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标题: MOS管和IGBT区别,一看就懂  [查看完整版帖子] [打印本页]

时间:  2022-10-21 13:30
作者: 成都亿佰特     标题: MOS管和IGBT区别,一看就懂

MOS管即MOSFET,又叫绝缘栅场效应管,是场效应管的一种类型。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。
这是MOS管和IGBT管的内部结构:

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。
另外,MOS管和IGBT的选择可以参考以下几点:
MOS                          IBGT
切换功率大于100KHz           切换功率低于25KHz
输入电压低于250V             输入电压高于1000V
较小的输出功率的场合         较大输出功率的场合
                            电流变化较小的负载
总的来说,MOSFET优点是高频特性好,工作频率高,缺点是导通电阻大,在高压大电流场合功耗较大;IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。







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