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标题: 室分LTE与TD合路为何电平值差距30dbm左右？ [查看完整版帖子] [打印本页]

时间: 2014-2-12 21:44

作者: huaxia2799 标题: 室分LTE与TD合路为何电平值差距30dbm左右？

按道理来说都是同一个RRU出的信号，输出的信号强度是一样的，同一部测试手机3G信号-87，LTE信号-104 左右？
这个损耗有点大

时间: 2014-2-13 09:46

作者: reed.sun

请先理解清楚LTE参考信号功率与TDS导频信道功率的差异，17个dB的差异在合理范围之内

时间: 2014-2-13 14:13

作者: fangzhilang

合路器频段是否支持，差30是不正常的

时间: 2014-2-13 16:15

作者: dd-dreamer

1、TDS和TDL应该是同rru不同通道，可能通道输出功率不一样；
2、就算通道输出的功率一样大，TDS分配给各个载频，TDL的功率则分配给1200个RE，

时间: 2014-2-14 16:04

作者: youweige

太专业了不明白

时间: 2014-2-20 15:37

作者: vipdabao

3G、4G相同的发射总功率。
3G -87, 4G -104。说的都是导频信道或者参考信道的电平，3G导频功率在总功率基础上回退10dB左右，LTE参考电平RSRP在总功率上回退31dB左右。因此，手机测到的信号会相差20dB左右。

时间: 2014-2-22 23:19

作者: huaxia2799

谢了。学习

时间: 2014-3-11 13:09

作者: 彦峰

RRU出来的发射功率一样，但3G和4G信号频率是不一样的，传输过程中损耗与频率有关，测试手机与天线间的无线损耗也很频率有关，最后测试结果相差30dB很正常。

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