当地时间9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术。
英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。
目前基于氮化镓的功率半导体在工业、汽车和消费、计算和通信应用中得到快速采用，包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。最先进的 GaN 制造工艺可以提高器件性能，从而为最终客户的应用带来好处，因为它可以实现效率性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，300 毫米制造通过可扩展性确保了卓越的客户供应稳定性。
英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购 GaN Systems 近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的 GaN 市场的领导者。作为电源系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”
据介绍，英飞凌在其位于奥地利菲拉赫的功率工厂现有的 300 mm 硅生产中，成功地在一条集成试验线上制造了 300 mm GaN 晶圆。该公司正在利用现有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生产中的成熟能力。英飞凌将根据市场需求进一步扩大 GaN 产能。300 毫米 GaN 制造将使英飞凌能够塑造不断增长的 GaN 市场，预计到本十年末，该市场将达到数十亿美元。
300 mm GaN 技术的一个显着优势是它可以利用现有的 300 mm 硅制造设备，因为氮化镓和硅在制造过程中非常相似。英飞凌现有的大批量 300 毫米硅生产线非常适合试点可靠的 GaN 技术，从而加快实施和高效利用资本。完全按比例生产的 300 毫米 GaN 将有助于 GaN 成本与硅（Si）持平，这意味着同类硅和 GaN 产品的成本将走向持平。
英飞凌表示，300 毫米 GaN 是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，支持英飞凌的脱碳和数字化使命。