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标题: IC芯片软失效解析 [查看完整版帖子] [打印本页]

时间: 2020-3-26 21:54

作者: 御音飞行 标题: IC芯片软失效解析

软错误（Soft error）：不会造成物理损坏，通过重写可以恢复。
随机发生，没有规律可言。
多以单BIT错误出现，极少出现多BIT错误。
只影响RAM（包括SRAM,DRAM，基于RAM结构的FPGA等等）,而Flash没有这种现象（闪存FLASH的存储单元为三端器件，栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，所以闪存具有记忆能力）。

a粒子：封装材料中不稳定同位素产生的a粒子(能量值范围：1MeV一9MeV)，目前对于无铅芯片来说，倒装的bump球是重点关注的；
高能中子：宇宙辐射中高能量中子与硅核子反应产生离子(能量值范围：10MeV—IGeV) 。这个是比较难防御的，目前没有特别有效的手段可以预防。1m的钢筋混凝土可能减缓30％，470m的地下到时可以将中子的影响忽略不计。同时海拔高度的影响很大，高海拔的地区有3～8倍的加速效果。
低能量中子：宇宙辐射的低能量中子和封装材料中的同位素硼·10产生反应。老的芯片工艺采用BPSG绝缘介质，影响比较大。这个很多厂家后来新的芯片工艺都避免采用这种绝缘介质材料了。

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